SITE MAP

NEWS

Смотрите также:	Блок АЦО Квант
КСЛ-Ц - комплект соединительных линий цифровой для АТСКЭ "Квант"

ОБОРУДОВАНИЕ ЭАТС "КВАНТ-E"

БЛОК БАЛД2

СК2.390.029 ТО

Техническое описание

Блок БАЛД2 предназначен для cопряжения квазиэлектронных станций «Квант» с цифровыми станциями. Со стороны квазиэлектронной станции к блоку БАЛД2 подключаются разговорные провода от блоков БСЛ06 (БИЛ, БВЛ) и канал ввода-вывода для передачи и приема управляющей информации.

Разговорные провода двухпроводные. Уровень речевого тракта 0 дБ± 0,3 дБ.

Конструктивно блок БАЛД2 состоит из двух независимых узлов. Каждый узел обеспечивает стыковку 60 речевых каналов со стороны квазиэлектронной станции (КЭАТС) и двух ИКМ потоков в сторону электронной станции (ЭАТС).

Сигнализация в сторону ЭАТС:

1. Сигнализация 2 ВСК;

2. Сигнализация 1 ВСК;

3. Сигнализация ОКС – «Квант», если ЭАТС «Евро-Квант»;

4. Сигнализация R2D или R1.5 пакет в сторону АМТС.

5. Сигнализация EDSS1

Сигнализация в сторону к КЭАТС:

1. ОКС – «Квант».

Использование блока БАЛД2 не требует установки дополнительных РСЛ на КЭАТС.

Один узел блока БАЛД2 состоит из:

1. ТЭЗ ПНГ - блок питания и генератор вызывного сигнала;

2. ТЭЗ КС8А - контроллер;

3. ТЭЗ ПРКМ - приемник канала. Обеспечивае стыковку сигнализации между КС8А и КЭАТС;

4. ТЭЗ ЛПМ - линейный преобразователь речевого сигнала. Обеспечивает стыковку речевого сигнала КЭАТС и блока БАЛД2;

5. ТЭЗ ДГН5 - диагностический ТЭЗ. Обеспечивает проверку ТЭЗов блока БАЛД2 и тестирование входов, выходов БСЛ06 (БИЛ, БВЛ) КЭАТС;

6. ТЭЗ ЦСЛ - обеспечивает стык ИКМ потока блока БАЛД2 и ЭАТС.

7. ТЭЗ АЦК2М - EDSS1-1 или 2 тракта цифровых АЛ и СЛ PRA (30B+D)

Напряжение питания блока БАЛД2 – 60В ±6В.

Подключение блока БАЛД2

Подключение со стороны КЭАТС :

· Любой свободный индекс канала ввода-вывода КЭАТС подключается к ТЭЗу ПРКМ согласно схеме электрической. (разъем на лицевой панели типа RJ-45

8-контактный).

Если на данном канале уже есть подканал, то используется второй разъем RJ–45 (1-2 контакты RJ).

Например: индекс КВВ4 - 7704Х

индекс ПРКМ - 7705Х

· Речевые каналы подключаются к ТЭЗу ЛПМ (разъем Х3) согласно схеме электрической. Каждый ТЭЗ ЛПМ обеспечивает 15 речевых каналов.

Подключение со стороны ЭАТС.

ИКМ поток подключается к ТЭЗу ЦСЛМ согласно схеме электрической (разъем RJ-45

8-контактный)

Комплектация АЦО на четыре тракта ИКМ

Схема подключения кабелей к АЦО

СХЕМА ВКЛЮЧЕНИЯ АЦО

БЛОК - СХЕМА АЦО

ОБОРУДОВАНИЕ ЭАТС "КВАНТ-E"

ТЭЗ ПРКМ

Техническое описание

СК2.114.046 ТО

ПРКМ (перекодировщик канала) предназначен для согласования интерфейса канала КЭАТС «Квант» и ТЭЗа КС8А.

ТЭЗ ПРКМ представляет собой буферную память, выполненную на микросхемах DD8 и DD9. В микросхеме DD8 хранится младший байт, а в микросхеме DD9 старший байт данных. Микросхемы DD8 и DD9 – это двухпортовые ЗУ (запоминающее устройство).

Диаграмма записи двухпортового ЗУ.

Фиксация адреса происходит по фронту из “1” в “0” сигнала CS. Фиксация данных по окончанию сигнала CS или сигнала записи.

Диаграмма чтения двухпортового ЗУ.

Область памяти для записи канала 8800 – 880F.

Канальные выборки с 0 – 7.

Область чтения канала с 8800 – 881F.

Канальные выборки с 8 – F.

Адресное пространство с 8800 – 881F доступно каналу для чтения.

Джампер ХР1 – нагрузка канала. Джамперы ХР2, ХР3 адреса 4,5 для выборки канала.

Таблица установки джамперов ХР2, ХР3.

1. Диаграмма канала ввода – вывода.

Приемо – передатчик канала ввода вывода выполнен на транзисторах VT1 – VT4, трансформаторе Т1 и микросхемах DD1, DD6.1, DD6.2.

Микросхема DD4 двунаправленный шинный формирователь шины данных КС8А. Направление информации определяется сигналом RDKS. Выбор микросхемы DD4 сигналом CSAP. Микросхемы DD2, DD3, DD5, DD6 служат для фильтрации помех шин КС8А. Микросхема DD7 обеспечивает согласование диаграмм канала ввода – вывода и ТЭЗа КС8А. Микросхема DD10 генератор 5 MHz, обеспечивающая работу диаграмм канала ввода – вывода. Микросхемы DD8, DD9 двухпортовые ЗУ для записи и чтения информации.

ОБОРУДОВАНИЕ ЭАТС "КВАНТ-E"

ТЭЗ ЛПМ

Техническое описание

СК2.114.045 ТО

ТЭЗ ЛПМ (линейный преобразователь) предназначен для согласования поля КЭАТС «Квант» и коммутационной системы БАЛД2.

ТЭЗ ЛПМ имеет 15 аналого - цифровых и цифро - аналоговых преобразователей. Преобразование речи производит микросхема DA1. Коэффициент передачи определяет отношением резисторов R8/R7. Коэффициент приема определяется отношением резисторов R6/R9. Трансформатор T1 и конденсатор С75 обеспечивают гальваническую развязку микросхемы DA1 и поля КЭАТС. Элементы FP1, FP2, VD5, VD4, VD6 обеспечивают защиту линии от опасных токов и напряжений. Реле К1 – К15 служат для тестирования узлов ТЭЗа. Реле К16 – К30 служат для тестирования поля КЭАТС.

1. Микросхема DD1, DD2, DD6, DD7, DD12 служат для фильтрации сигналов ТЭЗа КС8А. Микросхемы DD4, DD5 обеспечивают диаграммы работы микросхем DA1 (выборка кофидека). Микросхема DD3 дешифратор записи, чтения. Микросхема DD9 – код ТЭЗа ЛПМ. Микросхема DD11 – двунаправленный линейный формирователь шины данных. Направление данных определяет сигнал RD. VD1, C9, R3, R4, DD12.5, DD12.6 схема сброса регисторов по включению питания. Микросхемаы DD13 – DD16 регистры управления реле К1 – К30. Микросхемы DD17 – DD21 буферные усилители тока для работы реле.

2. Диаграмма записи определяется сигналами КС8А: CS, A0, A1, WR и шиной D0 - D7. Диаграмма чтения определяется сигналами КС8А: CS, A0, A1, RD.

ПЕРЕЧЕHЬ ЭЛЕМЕHТОВ HА ТЭЗ ЛПМ(I,II) СК2.114.045

ЗОHА	ОБОЗHАЧЕHИЕ	HАИМЕHОВАHИЕ	КОЛ	ПРИМЕЧАHИЕ
		КОНДЕНСАТОР
	C01...C08	К10-17-3б-М1500-100 пф +-20% - B
		ОЖО.460.107 ТУ	8
	C09	TANTAL ELKO 16 V 10 UF
			1
	C10...C13	К10-17-3б-М1500-100 пф +-20% - B
		ОЖО.460.107 ТУ	4
	C14...C17	К10-17-3б-М1500-220 пф +-20 % - B
		ОЖО.460.107 ТУ	4
	C18	TANTAL ELKO 6,3 V 100 UF
			1
	C19...C21	TANTAL ELKO 16 V 10 UF
			3
	C22...C72	К10-17-2б-H90-0,15 мкФ - В
		ОЖ0.460.107 ТУ	50
		МИКРОСХЕМА
	DD01, DD02	74 HC 14N
			2
	DD03	74 HC 139N
			1
	DD04, DD05	74 HC 259N
			2
	DD06, DD07	74 HC 14N
			2
	DD08	74 HC 32N
			1
	DD09	74 HC 240N
			1
	DD10	74 HC 125N
			1
	DD11	74 HC 640N
			1
	DD12	74 HC 14N
			1
	DD13...DD16	74 HC 273N
			4
	DD17...DD21	К 1109 KT23
		бК0.348.635-07 ТУ	5
		РЕЗИСТОР
	R01, R02	С2-23-0,125-5,1 кОм +-5 % А-В
		ОЖ0.467.081 ТУ	2
	R03	С2-23-0,125-10 кОм +-5 % А-В
		ОЖ0.467.081 ТУ	1
	R04	С2-23-0,125-1 кОм +-5 % А-В
		ОЖ0.467.081 ТУ	1
		РЕЗИСТОРН.СБОРКА
	RX01...RX03	L 10-3- 2% 100 Ом
			3
	RX04	HР1-4-9-0,125-10 кОм +-10 %
		ОЖ0.467.404 ТУ	1
		ДИОД,СТАБИЛИТРОН
	VD01	КД 522Б
		дР3.362.029 ТУ	1
		КОНТАКТ.РАЗЪЕМ
	X01...X03	HARTING 09 03 164 6921
			3
		УСТРОЙСТВО	15
		КОНДЕНСАТОР
	C73	К10-17-2б-М1500-0,01 мкф +-5 % - B
		ОЖ0.460.107 ТУ	1

ЗОHА	ОБОЗHАЧЕHИЕ	HАИМЕHОВАHИЕ	КОЛ	ПРИМЕЧАHИЕ
	C74	X7R RM5-0,047 UF +-5 %
			1
	C75	MKS4-100 V-2,2 UF +-20 %
			1
		МИКРОСХЕМА
	DA01	COMBO TP3067N
			1
		ПОЗИСТОР
	FP01, FP02	ТРП-27-25
		ТЦАФ.434.121.024 ТУ	2
		РЕЛЕ
	K01, K16	V23079-A1003-B201
		SIEMENS	2
		РЕЗИСТОР
	R05	С2-23-0,125-30,1 кОм +-1 % Д-В
		ОЖ0.467.173 ТУ	1
	R06	С2-23-0,125-100 кОм +-1 % Д-В
		ОЖ0.467.173 ТУ	1
	R07	С2-23-0,125-10,7 кОм +_1 % A-B
		ОЖ0.467.081 ТУ	1
	R08	С2-23-0,125-6,34 кОм +-1 % A-B
		ОЖ0.467.173 ТУ	1
	R09	С2-23-0,125-48,7 кОм +-1 % Б-В
		ОЖ0.467.081 ТУ	1
	R10	С2-23-0,125-2,43 кОм +-1 % Д-B
		ОЖ0.467.173 ТУ	1
	R11	С2-23-0,125-20 кОм +-1 % Д-В
		ОЖ0.467.173 ТУ	1
	R12	С2-23-0,125-487 Ом +-1 % А-В
		ОЖ0.467.081 ТУ	1
		ТРАНСФОРМАТОР
	T01	TPC-2-1
			1
		ДИОД,СТАБИЛИТРОH
	VD02, VD03	КС 156Г
			2
		ДИОД,СТАБИЛИТРОН
	VD04	1,5 KE 20 P (KC 511А)
			1
	VD05	WL10
			1
	VD06	1,5 KE 75 A (KC 511Б)
			1

ПЕРЕЧЕHЬ ЭЛЕМЕHТОВ HА ТЭЗ ПРКМ-I СК2.114.046

ЗОHА	ОБОЗHАЧЕHИЕ	HАИМЕHОВАHИЕ	КОЛ	ПРИМЕЧАHИЕ

		КОНДЕНСАТОР
	C01...C11	К10-17-3б-М1500-100 пф +-20% - B
		ОЖО.460.107 ТУ	11
	C12	TANTAL ELKO 6,3 V 100 UF
			1
	C13...C29	К10-17-2б-H90-0,15 мкФ - В
		ОЖ0.460.107 ТУ	17

		МИКРОСХЕМА
	DD01	К 155 ЛЛ2
		бК0.348.006-57 ТУ	1
	DD02, DD03	74 HC 14N
			2
	DD04	74 HC 245N
			1
	DD05, DD06	74 HC 14N
			2
	DD07	EPM 7128 STC 100-15
		ALTERA	1
	DD08, DD09	DS 1609-50
			2
	DD10	IQXO-350 B 5.0000 FJK
			1

		ИНДИКАТОР
	HL01	LED 3 MM RED
			1
	HL02	LED 3 MM GREEN
			1

		ПЕРЕМЫЧКА
		MJ-1-B-A02
			4

		КОНТРОЛЬН.ТОЧКА
	KT01...KT03	PH-101-1-2
			3

		РЕЗИСТОР
	R01	С2-23-0,125-5,1 кОм +-5 % А-В
		ОЖ0.467.081 ТУ	1
	R02	С2-23-0,125-100 Ом +-5 % А-В
		ОЖ0.467.081 ТУ	1
	R03, R04	С2-23-0,125-150 Ом +-5 % А-В
		ОЖ0.467.081 ТУ	2
	R05, R06	С2-23-0,125-330 Ом +-5 % А-В
		ОЖ0.467.081 ТУ	2
	R07, R08	С2-23-0,125-51 Ом +-5 % А-В
		ОЖ0.467.081 ТУ	2
	R09...R11	С2-23-0,125-1 кОм +-5 % А-В
		ОЖ0.467.081 ТУ	3
	R12, R13	С2-23-0,125-330 Ом +-5 % А-В
		ОЖ0.467.081 ТУ	2
	R14	С2-23-0,125-100 Ом +-5 % А-В
		ОЖ0.467.081 ТУ	1
	R15	С2-23-0,125-68 Ом +-5 % А-В
		ОЖ0.467.081 ТУ	1

ЗОHА	ОБОЗHАЧЕHИЕ	HАИМЕHОВАHИЕ	КОЛ	ПРИМЕЧАHИЕ

	R16, R17	С2-23-0,125-680 Ом +-5 % А-В
		ОЖ0.467.081 ТУ	2
	R18...R21	С2-23-0,125-5,1 кОм +-5 % А-В
		ОЖ0.467.081 ТУ	4

		РЕЗИСТОРН.СБОРКА
	RX01, RX02	L 10-3- 2% 100 Ом
			2
	RX03	HР1-4-9-0,125-10 кОм +-10 %
		ОЖ0.467.404 ТУ	1

		ТРАНСФОРМАТОР
	T01	ТИМ 187В
		ОЮ0.472.045 ТУ	1

		ДИОД,СТАБИЛИТРОН
	VD01, VD02	КД 522Б
		дР3.362.029 ТУ	2

		ТРАНЗИСТОР
	VT01, VT02	2Т 313А
		ЩЫ0.336.049 ТУ	2
	VT03, VT04	2Т 3117А
		аА0.339.256 ТУ	2

		КОНТАКТ.РАЗЪЕМ
	X01, X02	HARTING 09 03 164 6921
			2
	X03	MLW 10 G
			1

	X04, X05	RJ45 (8P8C)Low Pr.Right Angle
		MOLEX 95001-2881	2

		КОНТАКТ.ВИЛКА
	XP01	PH-101-2-2
			1
	XP02...XP05	PH-101-3-2
			4

БЛОК БАЛД2

Подключение блока БАЛД2

Комплектация АЦО на четыре тракта ИКМ

ТЭЗ ПРКМ

ТЭЗ ЛПМ

Отправить сообщение для: Web Master с вопросами и замечаниями об этом веб-узле. Дата изменения: 23.03.2016

Отправить сообщение для: Web Master с вопросами и замечаниями об этом веб-узле.
Дата изменения: 23.03.2016